雜訊/線性效能大突破 矽基RF撼動砷化鎵技術

作者: Chris Stephens
2015 年 06 月 04 日
砷化鎵射頻(RF)元件憑藉著優異的雜訊處理及高線性等特色,成為高效能通訊設備開發人員長久以來的首選方案;然而,近來隨著絕緣層覆矽(SOI)製程技術的突破,以矽材料為基礎的RF元件性能已大幅突破,成為替代砷化鎵方案的新選擇。
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